求人番号 | m15557 |
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登録更新日 | 2025年8月15日 |
職種名 | パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計 |
仕事内容 |
パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発をお任せします。具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。 ・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計 ・単結晶製造設備制御技術開発 ・ウェハ製造のための、生産技術開発 ・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計 ・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理 ・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝 ・開発技術の権利化 ※変更の範囲:当社業務全般 ▼配属先 SiCプロジェクト室 24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めています。半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。 ▼業務のやりがい ・要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できる ・自分の作ったものが顧客、社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられる ・システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができる ・国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができる ・社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができる |
必要な経験・能力等 |
●▼必須条件 無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方 ・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方 ・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方 ・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方 ・半導体装置(結晶成長、加工、エピ)開発、設計を3年以上お持ちの方 |
雇用形態 | 正社員 / 雇用期間の定め:無 / 試用期間:有(3ヶ月) |
勤務地 | 三重県いなべ市[勤務地の補足:転勤あり 本社および全国の製作所、支社、営業所] |
年収・給与 | 理論年収600万円-1250万円 |
休日・休暇 | ・完全週休2日制(土日)※会社カレンダーによる※年間休日121日 GW・夏季・年末年始休暇(各10日程度)、その他年次有給休暇、特別休暇等 ・その他手当 通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、選択型福利厚生制度(デンソーカフェテリアプラン)、住宅資金貸付、財形貯蓄、持株制度、保養所、研修センター、D-スクエア(社員クラブ)、各種文化・体育施設等 |
福利厚生 | 健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度 [受動喫煙防止措置] 本社・製作所:屋内全面禁煙(屋外喫煙可能場所あり) |
社名 | 非公開 |
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本社所在地 | 愛知県 |
事業内容 | 自動車用システム製品(エンジン関係、空調関係、ボデー関係、走行安全関係)、およびITS関連製品(ETC、カーナビゲーション等)、生活関連機器製品、産業機器製品等の開発・製造・販売 先進的な自動車技術、システム、製品を世界の主要な自動車製造会社すべてに提供しているトップレベルの自動車部品サプライヤー。 |
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